

股票名稱 | 報價日期 | 今買均 | 買高 | 昨買均 | 實收資本額 |
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瀚昱能源科技 | 2025/05/07 | 議價 | 議價 | 議價 | 698,261,200 |
統一編號 | 董事長 | 今賣均 | 賣低 | 昨賣均 | 詳細報價連結 |
28737207 | 毛鑫 | 議價 | 議價 | 議價 | 詳細報價連結 |
2008年07月28日
星期一
星期一
瀚昱砷化鎵太陽能 成本低、光電轉換效率高 |瀚昱能源科技
國內第一家量產砷化鎵薄膜太陽能電池的瀚昱能源,成立於2007
年6月,雖然至今才成立一年,但不同於同業在量產後才開始找客
戶,而是先承接日本既有代工訂單,讓瀚昱成功的創下去年國內
太陽能廠,最快獲利紀錄的亮眼成績。
瀚昱技術團隊來自於早期工研院次微米中心,擁有相當豐富的化
合物半導體量產經驗的,與日本三菱合作化合物半導體多年,並
成為其供應鏈客戶Hayashi重要代工夥伴。瀚昱總經理林健?表示
,公司目前已經建立了以玻璃為基板的III-V族聚光型薄膜太陽能
電池(Solar Cell),發展出許多極具關鍵性的III-V族高效率量產製程
,可非常有效的節省生產成本,並且成功開發出多種高效率的太
陽能模組、及被動式/主動式/混合式的太陽能追日系統。
砷化鎵化合物 光電轉換效率達30%
太陽能發電轉換效率技術一直是各家廠商努力的目標,材料的選
擇也決定了太陽能的轉換效率。林健?表示,大部分太陽能電池材
質皆為矽製程,單晶與多晶矽的太陽電池平均效率僅約在15%上
下,而以砷化鎵作為半導體材料,因其具有電子遷移率高、介電
常數小的特性,做為太陽能電池其轉換效率高達30%的光電轉換
效率,較矽製程的太陽能電池高,已引起全球太陽能電池市場的
高度重視。
在矽原料短缺及價格高漲的市場情勢下,化合物薄膜太陽能電池
的材料成本,也遠低於單/多晶矽太陽能電池,瀚昱砷化鎵(GaAs)
化合物其每瓦成本已從去年的3.5美元,降到目前的2.1美元,瀚昱
穩定高品質量產技術,能有效掌握低成本設備及廠房,可大幅降
低生產成本,明年目標有機會再調降到每瓦1美元水準。
提高太陽能電池的發電效率技術,其實瀚昱除了用高轉換效率的
III-V族材料製作太陽能電池,亦可在太陽能模組上加上聚光設備
,增強光照強度、提高發電效率。除此之外,也可將太陽能電池
做成「多介面串疊式薄膜」,因為太陽能的波長範圍非常廣,單
一介面的太陽能電池僅能吸收某一段波長的光線,若能將多種吸
收不同波長光線的薄膜堆疊,就能充分利用太陽光,提高轉換效
率。
追日系統發電效益是單晶矽6∼8倍
另外,無需電力的追日系統,讓太陽能電池與太陽光入射方向儘
量垂直,可以增加照光強度。因為追日系統可以在每日平均光照
時間8小時裏充分取得轉換電能,相較於固定式單晶矽太陽能板每
日平均取得2至3小時電能,新世代技術可產生6到8倍的電能。比
較建置太陽能發電面積的效益來看,追日系統較單晶矽太陽能板
能更能減少一半以上面積,這對於寸土寸金的都市土地,更顯土
地成本因素的重要性。
林健?指出,瀚昱比同業有更佳的競爭優勢,能夠100%自主經營
與高度垂直整合能力,結合了半導體前後段製程、光學、熱散、
控制、機構、模具、電池、機電系統整合等方面的技術人才。且
公司以最經濟而有效的方式,成功地垂直整合上中下游的三五族
太陽能產業模式,發展出轉換效率已超過30%的多介面(Multi
Junction)太陽能電池,而聚光型模組也研發出達600倍以上之轉換
效能,而佈局太陽能相關的專利已超過30件。
瀚昱專利超過30件 明年年產能目標200MW
瀚昱目前已獲得美國、日本、東南亞、中東市場等多個國家認證
,光是今年首季全球訂單就超過500MW,是原本規劃產能的3倍
以上。瀚昱今年年產能已有約45MW規模,接下來將與系統廠商
共同合作建廠,並發展出更高效率量產製程,年底將朝200MW(
百萬瓦)產能目標邁進,待經營一定成績後,不排除明年再擴增1
倍產能。
年6月,雖然至今才成立一年,但不同於同業在量產後才開始找客
戶,而是先承接日本既有代工訂單,讓瀚昱成功的創下去年國內
太陽能廠,最快獲利紀錄的亮眼成績。
瀚昱技術團隊來自於早期工研院次微米中心,擁有相當豐富的化
合物半導體量產經驗的,與日本三菱合作化合物半導體多年,並
成為其供應鏈客戶Hayashi重要代工夥伴。瀚昱總經理林健?表示
,公司目前已經建立了以玻璃為基板的III-V族聚光型薄膜太陽能
電池(Solar Cell),發展出許多極具關鍵性的III-V族高效率量產製程
,可非常有效的節省生產成本,並且成功開發出多種高效率的太
陽能模組、及被動式/主動式/混合式的太陽能追日系統。
砷化鎵化合物 光電轉換效率達30%
太陽能發電轉換效率技術一直是各家廠商努力的目標,材料的選
擇也決定了太陽能的轉換效率。林健?表示,大部分太陽能電池材
質皆為矽製程,單晶與多晶矽的太陽電池平均效率僅約在15%上
下,而以砷化鎵作為半導體材料,因其具有電子遷移率高、介電
常數小的特性,做為太陽能電池其轉換效率高達30%的光電轉換
效率,較矽製程的太陽能電池高,已引起全球太陽能電池市場的
高度重視。
在矽原料短缺及價格高漲的市場情勢下,化合物薄膜太陽能電池
的材料成本,也遠低於單/多晶矽太陽能電池,瀚昱砷化鎵(GaAs)
化合物其每瓦成本已從去年的3.5美元,降到目前的2.1美元,瀚昱
穩定高品質量產技術,能有效掌握低成本設備及廠房,可大幅降
低生產成本,明年目標有機會再調降到每瓦1美元水準。
提高太陽能電池的發電效率技術,其實瀚昱除了用高轉換效率的
III-V族材料製作太陽能電池,亦可在太陽能模組上加上聚光設備
,增強光照強度、提高發電效率。除此之外,也可將太陽能電池
做成「多介面串疊式薄膜」,因為太陽能的波長範圍非常廣,單
一介面的太陽能電池僅能吸收某一段波長的光線,若能將多種吸
收不同波長光線的薄膜堆疊,就能充分利用太陽光,提高轉換效
率。
追日系統發電效益是單晶矽6∼8倍
另外,無需電力的追日系統,讓太陽能電池與太陽光入射方向儘
量垂直,可以增加照光強度。因為追日系統可以在每日平均光照
時間8小時裏充分取得轉換電能,相較於固定式單晶矽太陽能板每
日平均取得2至3小時電能,新世代技術可產生6到8倍的電能。比
較建置太陽能發電面積的效益來看,追日系統較單晶矽太陽能板
能更能減少一半以上面積,這對於寸土寸金的都市土地,更顯土
地成本因素的重要性。
林健?指出,瀚昱比同業有更佳的競爭優勢,能夠100%自主經營
與高度垂直整合能力,結合了半導體前後段製程、光學、熱散、
控制、機構、模具、電池、機電系統整合等方面的技術人才。且
公司以最經濟而有效的方式,成功地垂直整合上中下游的三五族
太陽能產業模式,發展出轉換效率已超過30%的多介面(Multi
Junction)太陽能電池,而聚光型模組也研發出達600倍以上之轉換
效能,而佈局太陽能相關的專利已超過30件。
瀚昱專利超過30件 明年年產能目標200MW
瀚昱目前已獲得美國、日本、東南亞、中東市場等多個國家認證
,光是今年首季全球訂單就超過500MW,是原本規劃產能的3倍
以上。瀚昱今年年產能已有約45MW規模,接下來將與系統廠商
共同合作建廠,並發展出更高效率量產製程,年底將朝200MW(
百萬瓦)產能目標邁進,待經營一定成績後,不排除明年再擴增1
倍產能。
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