

股票名稱 | 報價日期 | 今買均 | 買高 | 昨買均 | 實收資本額 |
---|---|---|---|---|---|
迅宏科技 | 2025/05/07 | 議價 | 議價 | 議價 | 1,545,158,800 |
統一編號 | 董事長 | 今賣均 | 賣低 | 昨賣均 | 詳細報價連結 |
28112300 | 吳敏求 | 議價 | 議價 | 議價 | 詳細報價連結 |
2010年01月29日
星期五
星期五
旺宏調薪10%並徵才1500人,擬進入Nand領域 |迅宏科技
旺宏(2337)於2009年創下營運10年來的高峰,總經理盧志遠於28日法說會後宣佈,為了維持競爭力及獎勵優秀人才的貢獻,宣佈額外績效調薪10%,除了加薪之外,旺宏並宣佈要徵才1500人,因應業務需求,盧志遠表示,公司要建置12吋廠產能的政策明確,但1個12吋廠即需要700-800人,且旺宏也擬進入Nand flash的領域,以及原產品ROM和NOR Flash的製程精進所需人才,希望各屆人士共襄勝舉。
旺宏第一季的營收預估為61-63億元,其中ROM因季節性因素會有比較大的衰退,預估本季時ROM比FLASH占營收比重約3比7,若以此季營收預估,單月營收會在20億左右水準,盧志遠表示,單月營收20億也可以說是淡季不淡,目前看來,1月中上旬六吋代工沒那麼好,但到現在已「好的不得了」,客戶訂單湧入,等於現在六吋、八吋廠產能都吃緊,預估3-4月時等晶圓產出後營收屆時會有爆發。
至於外界關心旺宏擬購茂德(5387)十二吋廠的傳言,盧志遠表示,建置12吋廠產能的建置是很確定的事,但仍在各種談判期,有1-2家公司在談買他們的廠房,但也有可能會自己蓋,目前旺宏在中科已取得土地,隨時可動土,但2010年還不需要12吋的產能,但若有也可以來進行。
若不擴產的話,旺宏在營收推升的動力方面,盧志遠表示,主要在八吋廠可望再繼續進行製程微縮,盧志遠表示,每一個世代的製程微縮就會增加30-40%的IC顆粒數,等於不用增加晶圓數即可增加IC顆粒,且成本也大幅下降,若價格不跌,營收還會成長,盧志遠表示,製程微縮為提升旺宏毛利率最佳的方式,更勝於建置新工廠。
在NAND flash部分,盧志遠表示,旺宏在Nand的技術就是自行開發,已投入研究1-2年,技術自給自足,但Nand flash有貢獻約要待1-2年後。
旺宏今年資本支出,若先不計12吋廠,約為10-20億元的水準。
另外,旺宏旗下轉投資四家IC設計公司,盧志遠表示,部分子公司仍在投入當中,但其中一家「迅宏」今年有機會大展鴻圖,盧志遠表示,迅宏生產手機基頻,投入研發的時間點早,已推出第二代2.75G適用於智慧型手機的產品,包括中國大陸已有好多家廠商採用,台灣手機廠也是重要市場,目前正在銷售中,今年可望有較大的發展。
在研發部分,旺宏在2009年在IEDM發表以旺宏為第一作者的五篇研究論文,發表的論文篇數冠於台灣其它的企業以及學術單位,並於 28日與IBM簽訂協議,繼續合作開發第三階段的高密度之「相變化非揮發性記憶體」技術。
旺宏第一季的營收預估為61-63億元,其中ROM因季節性因素會有比較大的衰退,預估本季時ROM比FLASH占營收比重約3比7,若以此季營收預估,單月營收會在20億左右水準,盧志遠表示,單月營收20億也可以說是淡季不淡,目前看來,1月中上旬六吋代工沒那麼好,但到現在已「好的不得了」,客戶訂單湧入,等於現在六吋、八吋廠產能都吃緊,預估3-4月時等晶圓產出後營收屆時會有爆發。
至於外界關心旺宏擬購茂德(5387)十二吋廠的傳言,盧志遠表示,建置12吋廠產能的建置是很確定的事,但仍在各種談判期,有1-2家公司在談買他們的廠房,但也有可能會自己蓋,目前旺宏在中科已取得土地,隨時可動土,但2010年還不需要12吋的產能,但若有也可以來進行。
若不擴產的話,旺宏在營收推升的動力方面,盧志遠表示,主要在八吋廠可望再繼續進行製程微縮,盧志遠表示,每一個世代的製程微縮就會增加30-40%的IC顆粒數,等於不用增加晶圓數即可增加IC顆粒,且成本也大幅下降,若價格不跌,營收還會成長,盧志遠表示,製程微縮為提升旺宏毛利率最佳的方式,更勝於建置新工廠。
在NAND flash部分,盧志遠表示,旺宏在Nand的技術就是自行開發,已投入研究1-2年,技術自給自足,但Nand flash有貢獻約要待1-2年後。
旺宏今年資本支出,若先不計12吋廠,約為10-20億元的水準。
另外,旺宏旗下轉投資四家IC設計公司,盧志遠表示,部分子公司仍在投入當中,但其中一家「迅宏」今年有機會大展鴻圖,盧志遠表示,迅宏生產手機基頻,投入研發的時間點早,已推出第二代2.75G適用於智慧型手機的產品,包括中國大陸已有好多家廠商採用,台灣手機廠也是重要市場,目前正在銷售中,今年可望有較大的發展。
在研發部分,旺宏在2009年在IEDM發表以旺宏為第一作者的五篇研究論文,發表的論文篇數冠於台灣其它的企業以及學術單位,並於 28日與IBM簽訂協議,繼續合作開發第三階段的高密度之「相變化非揮發性記憶體」技術。
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